0 0 0
  8. DMN63D8LW-13

Транзисторы с каналом N SMD DMN63D8LW-13

 
DMN63D8LW-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075979
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,33А; 0,3Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
3.03 грн
100+
2.71 грн
475+
2.07 грн
1325+
1.96 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
0,33А(1740002)
Сопротивление в открытом состоянии
3,8Ом(1441366)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN63D8LW-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075979
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,33А; 0,3Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
3.03 грн
100+
2.71 грн
475+
2.07 грн
1325+
1.96 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
0,33А
Сопротивление в открытом состоянии
3,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g