0 0 0
  8. DMN65D8LDW-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN65D8LDW-7

 
DMN65D8LDW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660373
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 160мА; Idm: 0,8А; 400мВт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.87 грн
50+
5.16 грн
240+
4.38 грн
640+
4.14 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,16А(1702151)
Сопротивление в открытом состоянии
8Ом(1441548)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
870пC(1942274)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN65D8LDW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660373
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 160мА; Idm: 0,8А; 400мВт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
5.87 грн
50+
5.16 грн
240+
4.38 грн
640+
4.14 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,16А
Сопротивление в открытом состоянии
8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
870пC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g