0 0 0
  8. DMN65D8LFB-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN65D8LFB-7

 
DMN65D8LFB-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659778
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 310мА; 840мВт; X1-DFN1006-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.99 грн
100+
3.56 грн
380+
2.70 грн
1020+
2.56 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1006-3(1705809)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,31А(1643335)
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,84Вт(1810767)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
870пC(1942274)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN65D8LFB-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659778
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 310мА; 840мВт; X1-DFN1006-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.99 грн
100+
3.56 грн
380+
2.70 грн
1020+
2.56 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1006-3
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,31А
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,84Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
870пC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g