0 0 0
  8. DMN65D8LQ-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN65D8LQ-7

 
DMN65D8LQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660300
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 210мА; Idm: 0,8А; 540мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
15.73 грн
10+
10.54 грн
100+
4.70 грн
447+
2.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,21А(1644070)
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,54Вт(1741901)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
870пC(1942274)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN65D8LQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660300
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 210мА; Idm: 0,8А; 540мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
15.73 грн
10+
10.54 грн
100+
4.70 грн
447+
2.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,21А
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,54Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
870пC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g