0 0 0
  8. DMN65D8LW-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN65D8LW-7

 
DMN65D8LW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075981
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,26А; 0,3Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
29.37 грн
90+
11.34 грн
246+
10.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2993 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,26А(1702157)
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,3Вт(1507578)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN65D8LW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075981
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,26А; 0,3Вт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
29.37 грн
90+
11.34 грн
246+
10.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2993 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,26А
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,3Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g