0 0 0
  8. DMN67D8LW-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN67D8LW-7

 
DMN67D8LW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660376
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180мА; Idm: 0,8А; 470мВт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
2.98 грн
100+
2.63 грн
480+
2.20 грн
1280+
2.08 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,18А(1645013)
Сопротивление в открытом состоянии
7,5Ом(1441519)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,47Вт(1741781)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
821пC(1918337)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN67D8LW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660376
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 180мА; Idm: 0,8А; 470мВт; SOT323
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
2.98 грн
100+
2.63 грн
480+
2.20 грн
1280+
2.08 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,18А
Сопротивление в открытом состоянии
7,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,47Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
821пC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g