0 0 0
  8. DMN80H2D0SCTI

Транзисторы с каналом N THT DMN80H2D0SCTI

 
DMN80H2D0SCTI
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 546556
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4А; Idm: 28А; 16Вт; ITO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.71 грн
3+
87.27 грн
10+
77.05 грн
15+
66.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
ITO220AB(1622387)
Напряжение сток-исток
800В(1441395)
Ток стока
4А(1441365)
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
16Вт(1608400)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
35,4нC(1905960)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
28А(1801403)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT DMN80H2D0SCTI
DIODES INCORPORATED
Артикул: 546556
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 4А; Idm: 28А; 16Вт; ITO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
96.71 грн
3+
87.27 грн
10+
77.05 грн
15+
66.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
THT
Корпус
ITO220AB
Напряжение сток-исток
800В
Ток стока
4А
Сопротивление в открытом состоянии
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
16Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
35,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
28А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g