0 0 0
  8. DMP1045UFY4-7

Транзисторы с каналом P SMD DMP1045UFY4-7

 
DMP1045UFY4-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622683
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,1А; Idm: -25А; 1,1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.36 грн
10+
12.75 грн
30+
11.24 грн
96+
10.23 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2900 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X2-DFN2015-3(1942513)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-5,1А(1492362)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
23,7нC(1790194)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-25А(1810550)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP1045UFY4-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622683
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -5,1А; Idm: -25А; 1,1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.36 грн
10+
12.75 грн
30+
11.24 грн
96+
10.23 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2900 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X2-DFN2015-3
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-5,1А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
23,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-25А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,013 g