0 0 0
  8. DMP10H4D2S-7

Транзисторы с каналом P SMD DMP10H4D2S-7

 
DMP10H4D2S-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140585
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,21А; 0,38Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.95 грн
25+
7.13 грн
100+
6.36 грн
180+
5.43 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 40 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-0,21А(1702212)
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом(1441408)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,38Вт(1742055)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP10H4D2S-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140585
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -0,21А; 0,38Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
13.95 грн
25+
7.13 грн
100+
6.36 грн
180+
5.43 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 40 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-0,21А
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,38Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g