0 0 0
  8. DMP1555UFA-7B

Транзисторы с каналом P SMD DMP1555UFA-7B

 
DMP1555UFA-7B
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140586
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -0,2А; 0,36Вт; X2-DFN0806-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.59 грн
30+
4.96 грн
100+
4.37 грн
260+
3.79 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X2-DFN0806-3(1740065)
Напряжение сток-исток
-12В(1478988)
Ток стока
-0,2А(1645021)
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом(1441408)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,36Вт(1741851)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP1555UFA-7B
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140586
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -0,2А; 0,36Вт; X2-DFN0806-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
10+
6.59 грн
30+
4.96 грн
100+
4.37 грн
260+
3.79 грн
Мин. заказ: 10
Кратность:  10
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X2-DFN0806-3
Напряжение сток-исток
-12В
Ток стока
-0,2А
Сопротивление в открытом состоянии
5Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,36Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g