0 0 0
  8. DMP2035UVT-7

Транзисторы с каналом P SMD DMP2035UVT-7

 
DMP2035UVT-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140592
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 1,2Вт; TSOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
35.03 грн
10+
23.90 грн
25+
17.60 грн
100+
12.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4984 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT26(1605071)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-4,8А(1643364)
Сопротивление в открытом состоянии
62мОм(1441261)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,2Вт(1449368)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP2035UVT-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140592
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,8А; 1,2Вт; TSOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
35.03 грн
10+
23.90 грн
25+
17.60 грн
100+
12.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4984 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT26
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-4,8А
Сопротивление в открытом состоянии
62мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g