0 0 0
  8. DMP2069UFY4-7

Транзисторы с каналом P SMD DMP2069UFY4-7

 
DMP2069UFY4-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622603
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -12А; 530мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.48 грн
10+
18.38 грн
30+
16.25 грн
65+
15.42 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X2-DFN2015-3(1942513)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-2,2А(1479082)
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм(1479066)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,53Вт(1742035)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
9,1нC(1479147)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-12А(1801470)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP2069UFY4-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622603
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,2А; Idm: -12А; 530мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.48 грн
10+
18.38 грн
30+
16.25 грн
65+
15.42 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X2-DFN2015-3
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-2,2А
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,53Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
9,1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-12А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g