0 0 0
  7. DMP2100UFU-7

Транзисторы многоканальные DMP2100UFU-7

 
DMP2100UFU-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000212
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4,1А; 0,9Вт; U-DFN2030-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.64 грн
25+
15.76 грн
82+
12.06 грн
224+
11.44 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2520 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2030-6(1739416)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-4,1А(1492348)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
0,9Вт(1742026)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g
 
Транзисторы многоканальные DMP2100UFU-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000212
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4,1А; 0,9Вт; U-DFN2030-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.64 грн
25+
15.76 грн
82+
12.06 грн
224+
11.44 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2520 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2030-6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-4,1А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,027 g