0 0 0
  8. DMP2120U-7

Транзисторы с каналом P SMD DMP2120U-7

 
DMP2120U-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 402030
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -20А; 0,8Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.47 грн
25+
5.66 грн
100+
5.02 грн
235+
4.33 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2735 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3А(1492259)
Сопротивление в открытом состоянии
62мОм(1441261)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,8Вт(1507583)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-20А(1741687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP2120U-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 402030
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; Idm: -20А; 0,8Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
14.47 грн
25+
5.66 грн
100+
5.02 грн
235+
4.33 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2735 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3А
Сопротивление в открытом состоянии
62мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g