0 0 0
  8. DMP2160UFDB-7

Транзисторы с каналом P SMD DMP2160UFDB-7

 
DMP2160UFDB-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622739
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -13А; 1,4Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.70 грн
10+
14.84 грн
30+
13.16 грн
80+
12.25 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2020-6(1628271)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-3,8А(1492294)
Сопротивление в открытом состоянии
86мОм(1801462)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,4Вт(1449373)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,5нC(1619508)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-13А(1810551)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP2160UFDB-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622739
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -13А; 1,4Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.70 грн
10+
14.84 грн
30+
13.16 грн
80+
12.25 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2020-6
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-3,8А
Сопротивление в открытом состоянии
86мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-13А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g