0 0 0
  8. DMP21D0UFB-7

Транзисторы с каналом P SMD DMP21D0UFB-7

 
DMP21D0UFB-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622667
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,17А; Idm: -5А; 990мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.63 грн
25+
7.49 грн
100+
6.53 грн
160+
6.16 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1006-3(1705809)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-1,17А(1600704)
Сопротивление в открытом состоянии
960мОм(1887999)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,99Вт(1996889)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
1,5нC(1632943)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-5А(1810547)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP21D0UFB-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622667
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -1,17А; Idm: -5А; 990мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.63 грн
25+
7.49 грн
100+
6.53 грн
160+
6.16 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1006-3
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-1,17А
Сопротивление в открытом состоянии
960мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,99Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
1,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-5А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g