0 0 0
  8. DMP21D6UFD-7

Транзисторы с каналом P SMD DMP21D6UFD-7

 
DMP21D6UFD-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140603
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,25А; 0,4Вт; X1-DFN1212-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.52 грн
25+
4.67 грн
100+
4.13 грн
270+
3.66 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2880 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1212-3(1705815)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-0,25А(1643355)
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом(1441400)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,011 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP21D6UFD-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140603
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,25А; 0,4Вт; X1-DFN1212-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
12.52 грн
25+
4.67 грн
100+
4.13 грн
270+
3.66 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Колличество: 2880 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1212-3
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-0,25А
Сопротивление в открытом состоянии
3Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,011 g