0 0 0
  8. DMP3056LSSQ-13

Транзисторы с каналом P SMD DMP3056LSSQ-13

 
DMP3056LSSQ-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622693
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,9А; Idm: -25А; 1Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.16 грн
10+
19.04 грн
30+
16.89 грн
63+
15.75 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-3,9А(1492318)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
17,3нC(1607622)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-25А(1810550)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP3056LSSQ-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622693
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -3,9А; Idm: -25А; 1Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
20.16 грн
10+
19.04 грн
30+
16.89 грн
63+
15.75 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-3,9А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
17,3нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-25А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g