0 0 0
  8. DMP56D0UFB-7

Транзисторы с каналом P SMD DMP56D0UFB-7

 
DMP56D0UFB-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622458
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -200мА; Idm: -0,7А; 425мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.58 грн
25+
9.99 грн
100+
8.88 грн
120+
8.32 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1006-3(1705809)
Напряжение сток-исток
-50В(1441470)
Ток стока
-200мА(1536866)
Сопротивление в открытом состоянии
8Ом(1441548)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,425Вт(1701966)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
580пC(1942379)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-0,7А(1709891)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP56D0UFB-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622458
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -50В; -200мА; Idm: -0,7А; 425мВт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.58 грн
25+
9.99 грн
100+
8.88 грн
120+
8.32 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1006-3
Напряжение сток-исток
-50В
Ток стока
-200мА
Сопротивление в открытом состоянии
8Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,425Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
580пC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-0,7А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g