0 0 0
  8. DMP6110SSSQ-13

Транзисторы с каналом P SMD DMP6110SSSQ-13

 
DMP6110SSSQ-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622513
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,6А; Idm: -19А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.98 грн
5+
27.53 грн
25+
24.69 грн
49+
20.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-3,6А(1479071)
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
19,4нC(1775238)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-19А(1884182)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD DMP6110SSSQ-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622513
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,6А; Idm: -19А; 2Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.98 грн
5+
27.53 грн
25+
24.69 грн
49+
20.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-3,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
19,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-19А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g