0 0 0
  8. DMT10H009LH3

Транзисторы с каналом N THT DMT10H009LH3

 
DMT10H009LH3
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 662341
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; Idm: 336А; 61Вт; TO251
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.15 грн
5+
58.00 грн
21+
48.28 грн
57+
45.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO251(1492057)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
67А(1479415)
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм(1479176)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
61Вт(1601874)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
20,2нC(1801413)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
336А(1823194)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N THT DMT10H009LH3
DIODES INCORPORATED
Артикул: 662341
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 67А; Idm: 336А; 61Вт; TO251
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
65.15 грн
5+
58.00 грн
21+
48.28 грн
57+
45.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
THT
Корпус
TO251
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
67А
Сопротивление в открытом состоянии
13мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
61Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
20,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
336А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g