0 0 0
  8. DMT10H015SK3-13

Транзисторы с каналом N SMD DMT10H015SK3-13

 
DMT10H015SK3-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 546552
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 43А; Idm: 215А; 2,9Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
63.37 грн
5+
42.35 грн
25+
36.71 грн
28+
36.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 201 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
43А(1479345)
Сопротивление в открытом состоянии
11,1мОм(1599925)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,9Вт(1741742)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
30,1нC(1905963)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
215А(1905962)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,463 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMT10H015SK3-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 546552
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 43А; Idm: 215А; 2,9Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
63.37 грн
5+
42.35 грн
25+
36.71 грн
28+
36.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 201 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
43А
Сопротивление в открытом состоянии
11,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,9Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
30,1нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
215А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,463 g