Транзисторы с каналом N SMD DMT3006LFDFQ-7

 
DMT3006LFDFQ-7
 
Артикул: 660255
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 80А; 2,1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.38 грн
10+
20.11 грн
30+
17.73 грн
60+
16.97 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2020-6(1628271)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
12,5А(1441293)
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм(1479025)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
16,7нC(1479072)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
80А(1758518)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMT3006LFDFQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660255
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12,5А; Idm: 80А; 2,1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
21.38 грн
10+
20.11 грн
30+
17.73 грн
60+
16.97 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2020-6
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
12,5А
Сопротивление в открытом состоянии
15мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
16,7нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
80А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g