0 0 0
  8. DMT6004SCT

Транзисторы с каналом N THT DMT6004SCT

 
DMT6004SCT
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 546563
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 180А; 113Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
124.19 грн
3+
111.08 грн
10+
97.96 грн
12+
84.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
3,1мОм(1479542)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
113Вт(1740787)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
95,4нC(1905966)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
180А(1758616)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT DMT6004SCT
DIODES INCORPORATED
Артикул: 546563
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 180А; 113Вт; TO220AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
124.19 грн
3+
111.08 грн
10+
97.96 грн
12+
84.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
3,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
113Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
95,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
180А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g