0 0 0
  8. DMT6011LSS-13

Транзисторы с каналом N SMD DMT6011LSS-13

 
DMT6011LSS-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659689
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8,5А; Idm: 85А; 2,1Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.12 грн
10+
20.77 грн
30+
18.37 грн
58+
17.37 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
8,5А(1479174)
Сопротивление в открытом состоянии
14,5мОм(1479399)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22,2нC(1610037)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
85А(1823191)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMT6011LSS-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659689
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 8,5А; Idm: 85А; 2,1Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
22.12 грн
10+
20.77 грн
30+
18.37 грн
58+
17.37 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
8,5А
Сопротивление в открытом состоянии
14,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
85А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g