0 0 0
  8. DMT6012LPSW-13

Транзисторы с каналом N SMD DMT6012LPSW-13

 
DMT6012LPSW-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660429
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10,5А; Idm: 120А; 3,1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
24.95 грн
25+
22.49 грн
53+
18.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerDI5060-8(1942494)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
10,5А(1441292)
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм(1441314)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
3,1Вт(1449545)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
22,2нC(1610037)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
120А(1741681)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMT6012LPSW-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660429
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 10,5А; Idm: 120А; 3,1Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
58.00 грн
5+
24.95 грн
25+
22.49 грн
53+
18.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
PowerDI5060-8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
10,5А
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
3,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
22,2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
120А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g