Транзисторы с каналом N SMD ZVN2110GTA

 
ZVN2110GTA
 
Артикул: 077776
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,5А; 2Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
55.64 грн
5+
30.29 грн
25+
26.27 грн
41+
24.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 438 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
0,5А(1643334)
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
2Вт(1507429)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,168 g
 
Транзисторы с каналом N SMD ZVN2110GTA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077776
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,5А; 2Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
55.64 грн
5+
30.29 грн
25+
26.27 грн
41+
24.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 438 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
0,5А
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,168 g