0 0 0
  8. ZXM64P02XTA

Транзисторы с каналом P SMD ZXM64P02XTA

 
ZXM64P02XTA
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622755
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,8А; Idm: -19А; 1,1Вт; MSOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.39 грн
23+
43.07 грн
63+
40.67 грн
1000+
38.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
MSOP8(1443701)
Напряжение сток-исток
-20В(1478965)
Ток стока
-2,8А(1610014)
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
6,9нC(1479008)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-19А(1884182)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом P SMD ZXM64P02XTA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 622755
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -2,8А; Idm: -19А; 1,1Вт; MSOP8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
69.39 грн
23+
43.07 грн
63+
40.67 грн
1000+
38.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
MSOP8
Напряжение сток-исток
-20В
Ток стока
-2,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
6,9нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-19А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g