0 0 0
  7. ZXMC10A816N8TA

Транзисторы многоканальные ZXMC10A816N8TA

 
ZXMC10A816N8TA
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 546046
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 100/-100В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.01 грн
5+
37.06 грн
25+
33.17 грн
38+
26.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
100/-100В(1596093)
Ток стока
2,2/-2,1А(1643478)
Сопротивление в открытом состоянии
0,23/0,235Ом(1644055)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2,4Вт(1507584)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
9,2нC(1610002)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
9,4А(1810560)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные ZXMC10A816N8TA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 546046
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 100/-100В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.01 грн
5+
37.06 грн
25+
33.17 грн
38+
26.76 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
100/-100В
Ток стока
2,2/-2,1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,23/0,235Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
9,2нC
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
9,4А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g