0 0 0
  7. ZXMC3F31DN8TA

Транзисторы многоканальные ZXMC3F31DN8TA

 
ZXMC3F31DN8TA
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000350
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.95 грн
5+
36.29 грн
25+
32.66 грн
39+
25.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 469 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
4,5/-7А(1643483)
Сопротивление в открытом состоянии
0,024/0,046Ом(1644058)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Рассеиваемая мощность
2,1Вт(1487305)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
комплементарная пара(1492083)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,151 g
 
Транзисторы многоканальные ZXMC3F31DN8TA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000350
Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 30/-30В
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
67.95 грн
5+
36.29 грн
25+
32.66 грн
39+
25.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 469 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
4,5/-7А
Сопротивление в открытом состоянии
0,024/0,046Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
комплементарная пара
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,151 g