0 0 0
  7. ZXMHC3F381N8TC

Транзисторы многоканальные ZXMHC3F381N8TC

 
ZXMHC3F381N8TC
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401741
Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 30/-30В; 3,98/-3,36А; 0,87Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
52.41 грн
10+
43.52 грн
29+
34.63 грн
79+
32.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
3,98/-3,36А(1810558)
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм(1441270)
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2(1479109)
Рассеиваемая мощность
0,87Вт(1742071)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
MOSFET H-Bridge(1810711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
22,9...-19,6А(1810557)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные ZXMHC3F381N8TC
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401741
Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 30/-30В; 3,98/-3,36А; 0,87Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
52.41 грн
10+
43.52 грн
29+
34.63 грн
79+
32.72 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
3,98/-3,36А
Сопротивление в открытом состоянии
33мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,87Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
MOSFET H-Bridge
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
22,9...-19,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g