0 0 0
  8. ZXMN10A11KTC

Транзисторы с каналом N SMD ZXMN10A11KTC

 
ZXMN10A11KTC
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077791
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; 4,06Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.34 грн
5+
28.80 грн
25+
25.51 грн
44+
23.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
3,1А(1441251)
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
4,06Вт(1742068)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD ZXMN10A11KTC
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077791
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 3,1А; 4,06Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.34 грн
5+
28.80 грн
25+
25.51 грн
44+
23.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
3,1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
4,06Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,025 g