0 0 0
  8. ZXMN10B08E6TA

Транзисторы с каналом N SMD ZXMN10B08E6TA

 
ZXMN10B08E6TA
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077793
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,5А; 1,1Вт; SOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
54.03 грн
39+
25.74 грн
106+
24.31 грн
500+
23.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 603 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT26(1492497)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
1,5А(1492350)
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом(1492338)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g
 
Транзисторы с каналом N SMD ZXMN10B08E6TA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077793
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,5А; 1,1Вт; SOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
54.03 грн
39+
25.74 грн
106+
24.31 грн
500+
23.36 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 603 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT26
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
1,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,024 g