Транзисторы с каналом N SMD ZXMN2F30FHTA

 
ZXMN2F30FHTA
 
Артикул: 077797
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.31 грн
25+
12.23 грн
100+
10.81 грн
104+
9.53 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
20В(1441277)
Ток стока
4,1А(1441393)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
0,96Вт(1741917)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD ZXMN2F30FHTA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077797
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 4,1А; 0,96Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
19.31 грн
25+
12.23 грн
100+
10.81 грн
104+
9.53 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
20В
Ток стока
4,1А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,96Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g