0 0 0
  8. ZXMN3A03E6TA

Транзисторы с каналом N SMD ZXMN3A03E6TA

 
ZXMN3A03E6TA
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077800
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,6А; 1,1Вт; SOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.15 грн
5+
32.39 грн
25+
28.58 грн
41+
24.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT26(1492497)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
4,6А(1479139)
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм(1441532)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,1Вт(1449376)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD ZXMN3A03E6TA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077800
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,6А; 1,1Вт; SOT26
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
57.15 грн
5+
32.39 грн
25+
28.58 грн
41+
24.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT26
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
4,6А
Сопротивление в открытом состоянии
50мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g