Транзисторы многоканальные ZXMN6A11DN8TA

 
ZXMN6A11DN8TA
 
Артикул: 000360
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 2,6А; 1,25Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.51 грн
5+
30.37 грн
25+
26.73 грн
41+
23.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 41 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
2,6А(1479113)
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,232 g
 
Транзисторы многоканальные ZXMN6A11DN8TA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000360
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 2,6А; 1,25Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
70.51 грн
5+
30.37 грн
25+
26.73 грн
41+
23.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 41 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
2,6А
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,232 g