0 0 0
  7. ZXMS6006DT8TA

Транзисторы многоканальные ZXMS6006DT8TA

 
ZXMS6006DT8TA
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000362
Транзистор: N-MOSFET x2; IntelliFET™; полевой; 60В; 2,8А; 1,16Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.52 грн
5+
99.70 грн
13+
79.60 грн
35+
74.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SM8(1611458)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
2,8А(1602409)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
1,16Вт(1742074)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Технология
IntelliFET™(1740088)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы многоканальные ZXMS6006DT8TA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000362
Транзистор: N-MOSFET x2; IntelliFET™; полевой; 60В; 2,8А; 1,16Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
110.52 грн
5+
99.70 грн
13+
79.60 грн
35+
74.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SM8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
2,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,16Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Технология
IntelliFET™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g