0 0 0
  8. ZXMS6006SGTA

Транзисторы с каналом N SMD ZXMS6006SGTA

 
ZXMS6006SGTA
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077812
Транзистор: N-MOSFET; IntelliFET™; полевой; 60В; 2,8А; 1Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
88.87 грн
15+
68.78 грн
20+
49.46 грн
55+
47.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
2,8А(1602409)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1Вт(1487288)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Технология
IntelliFET™(1740088)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD ZXMS6006SGTA
DIODES INCORPORATED
Артикул: 077812
Транзистор: N-MOSFET; IntelliFET™; полевой; 60В; 2,8А; 1Вт; SOT223
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
88.87 грн
15+
68.78 грн
20+
49.46 грн
55+
47.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
2,8А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Технология
IntelliFET™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g