0 0 0
  7. DI006H03SQ

Транзисторы многоканальные DI006H03SQ

 
DI006H03SQ
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 719294
Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 30/-30В; 4,8/-3,3А; 1,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
77.52 грн
5+
69.77 грн
16+
60.31 грн
44+
57.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
30/-30В(1596055)
Ток стока
4,8/-3,3А(1947309)
Сопротивление в открытом состоянии
40/80мОм(1596076)
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2(1479109)
Рассеиваемая мощность
1,5Вт(1487290)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
MOSFET H-Bridge(1810711)
Заряд затвора
11,7/11,4нC(1942199)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
60...-30А(1942198)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g
 
Транзисторы многоканальные DI006H03SQ
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 719294
Транзистор: N/P-MOSFET x2; полевой; 30/-30В; 4,8/-3,3А; 1,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
77.52 грн
5+
69.77 грн
16+
60.31 грн
44+
57.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
30/-30В
Ток стока
4,8/-3,3А
Сопротивление в открытом состоянии
40/80мОм
Тип транзистора
N/P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
1,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
MOSFET H-Bridge
Заряд затвора
11,7/11,4нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
60...-30А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,115 g