0 0 0
  8. DI080N06PQ-AQ

Транзисторы с каналом N SMD DI080N06PQ-AQ

 
DI080N06PQ-AQ
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 556778
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 80А; Idm: 480А; 65,8Вт; QFN5x6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
102.62 грн
5+
92.51 грн
14+
70.75 грн
39+
66.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
QFN5x6(1851138)
Напряжение сток-исток
65В(1492390)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
3,6мОм(1479264)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
65,8Вт(1906449)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
78,5нC(1906450)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
480А(1742454)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DI080N06PQ-AQ
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 556778
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 65В; 80А; Idm: 480А; 65,8Вт; QFN5x6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
102.62 грн
5+
92.51 грн
14+
70.75 грн
39+
66.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
QFN5x6
Напряжение сток-исток
65В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
3,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
65,8Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
78,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
480А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g