0 0 0
  8. DI100N10PQ

Транзисторы с каналом N SMD DI100N10PQ

 
DI100N10PQ
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 478396
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 95А; Idm: 400А; 250Вт; QFN5x6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
122.10 грн
10+
102.01 грн
16+
64.14 грн
43+
60.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4836 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
QFN5x6(1851138)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
95А(1479477)
Сопротивление в открытом состоянии
5мОм(1479249)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
64нC(1633539)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
400А(1714521)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,134 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DI100N10PQ
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 478396
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 95А; Idm: 400А; 250Вт; QFN5x6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
122.10 грн
10+
102.01 грн
16+
64.14 грн
43+
60.28 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4836 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
QFN5x6
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
95А
Сопротивление в открытом состоянии
5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
64нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
400А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,134 g