0 0 0
  8. DI200N10D2

Транзисторы с каналом N SMD DI200N10D2

 
DI200N10D2
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 995275
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 185А; Idm: 950А; 340Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
140.31 грн
10+
117.83 грн
12+
82.17 грн
25+
81.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498) TO263AB(1478912)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
185А(1492470)
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм(1479289)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
340Вт(1741907)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
262нC(1993142)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
950А(1993141)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DI200N10D2
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 995275
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 185А; Idm: 950А; 340Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
140.31 грн
10+
117.83 грн
12+
82.17 грн
25+
81.40 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Корпус
TO263AB
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
185А
Сопротивление в открытом состоянии
2,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
340Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
262нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
950А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g