0 0 0
  8. DIF120SIC053-AQ

Транзисторы с каналом N THT DIF120SIC053-AQ

 
DIF120SIC053-AQ
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 985375
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 46А; Idm: 100А; 278Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 511.68 грн
2+
1 428.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
46А(1479360)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
278Вт(1741771)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
121нC(1709203)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-4...18В(1981581)
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,63 g
 
Транзисторы с каналом N THT DIF120SIC053-AQ
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 985375
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 46А; Idm: 100А; 278Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 511.68 грн
2+
1 428.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
46А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
278Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
121нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,63 g