0 0 0
  8. DIW030N65K

Транзисторы с каналом N THT DIW030N65K

 
DIW030N65K
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 882587
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 19А; Idm: 160А; 156Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
497.48 грн
3+
349.56 грн
8+
330.88 грн
600+
319.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
19А(1479258)
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм(1441555)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
156Вт(1741756)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
104нC(1744095)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
160А(1741661)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,167 g
 
Транзисторы с каналом N THT DIW030N65K
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 882587
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 19А; Idm: 160А; 156Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
497.48 грн
3+
349.56 грн
8+
330.88 грн
600+
319.98 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
19А
Сопротивление в открытом состоянии
65мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
156Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
104нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
160А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,167 g