0 0 0
  8. MMBT7002K-AQ

Транзисторы с каналом N SMD MMBT7002K-AQ

 
MMBT7002K-AQ
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 532573
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.22 грн
100+
1.51 грн
500+
1.33 грн
800+
1.25 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,3А(1644067)
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
0,8А(1741653)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD MMBT7002K-AQ
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 532573
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 0,3А; Idm: 0,8А; 0,35Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
25+
2.22 грн
100+
1.51 грн
500+
1.33 грн
800+
1.25 грн
Мин. заказ: 25
Кратность:  25
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
0,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g