0 0 0
  8. MMBT7002KDW-AQ

Транзисторы с каналом N SMD MMBT7002KDW-AQ

 
MMBT7002KDW-AQ
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 709270
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 0,35Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.63 грн
100+
3.28 грн
360+
2.79 грн
1000+
2.64 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,3А(1644067)
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,35Вт(1701891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,44нC(1642919)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1,2А(1709882)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,03 g
 
Транзисторы с каналом N SMD MMBT7002KDW-AQ
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 709270
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 300мА; Idm: 1,2А; 0,35Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
20+
3.63 грн
100+
3.28 грн
360+
2.79 грн
1000+
2.64 грн
Мин. заказ: 20
Кратность:  20
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,3А
Сопротивление в открытом состоянии
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,35Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
0,44нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1,2А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,03 g