0 0 0
  8. MMFTN3422ASK

Транзисторы с каналом N SMD MMFTN3422ASK

 
MMFTN3422ASK
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877707
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,2А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
28.59 грн
5+
12.98 грн
25+
6.06 грн
100+
5.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
4,2А(1479136)
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм(1441323)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
1,25Вт(1702038)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
11,5нC(1609894)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
20А(1741666)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,039 g
 
Транзисторы с каналом N SMD MMFTN3422ASK
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 877707
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 4,2А; Idm: 20А; 1,25Вт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
28.59 грн
5+
12.98 грн
25+
6.06 грн
100+
5.43 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
4,2А
Сопротивление в открытом состоянии
55мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
1,25Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
11,5нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
20А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,039 g