0 0 0
  8. MMFTN6190KDW

Транзисторы с каналом N SMD MMFTN6190KDW

 
MMFTN6190KDW
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 709269
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 9,6А; 0,4Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.65 грн
25+
10.23 грн
100+
9.05 грн
115+
8.91 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
1А(1441586)
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Рассеиваемая мощность
0,4Вт(1507572)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
2нC(1609793)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
9,6А(1759124)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,03 g
 
Транзисторы с каналом N SMD MMFTN6190KDW
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 709269
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 1А; Idm: 9,6А; 0,4Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.65 грн
25+
10.23 грн
100+
9.05 грн
115+
8.91 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
1А
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,4Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
2нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
9,6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,03 g