0 0 0
  7. MMFTN620KDW-AQ

Транзисторы многоканальные MMFTN620KDW-AQ

 
MMFTN620KDW-AQ
 
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 518184
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 350мА; 0,2Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.01 грн
25+
8.53 грн
100+
7.60 грн
160+
6.12 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
0,35А(1633294)
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Применение
automotive industry(1821825)
Рассеиваемая мощность
0,2Вт(1507579)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы многоканальные MMFTN620KDW-AQ
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 518184
Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 350мА; 0,2Вт; SOT363
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
5+
11.01 грн
25+
8.53 грн
100+
7.60 грн
160+
6.12 грн
Мин. заказ: 5
Кратность:  5
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
0,35А
Сопротивление в открытом состоянии
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Применение
automotive industry
Рассеиваемая мощность
0,2Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,1 g