Транзисторы с каналом P SMD MMFTP3008AK

 
MMFTP3008AK
 
Артикул: 887668
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -230мА; Idm: -1А; 420мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
10.05 грн
5+
6.03 грн
25+
3.52 грн
100+
1.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR(43)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-230мА(1492431)
Сопротивление в открытом состоянии
6,5Ом(1622290)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
0,42Вт(1742065)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
0,55нC(1993136)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-1А(1908876)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,039 g
 
Транзисторы с каналом P SMD MMFTP3008AK
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Артикул: 887668
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -230мА; Idm: -1А; 420мВт; SOT23
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
10.05 грн
5+
6.03 грн
25+
3.52 грн
100+
1.51 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
DIOTEC SEMICONDUCTOR
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-230мА
Сопротивление в открытом состоянии
6,5Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
0,42Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
0,55нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-1А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,039 g